美光 DDR5 伺服器 DRAM
效能、效率和可擴充性全開。
8,800 MT/s
速度1
256GB
最大容量
2x 最高效能
相較於 DDR42
3 年
有限保固
加速工作負載
建立高效率的生態系統,讓資料和洞察更快速移動。
AI 訓練
加速 AI/機器學習的訓練流程。
雲端運算
適用於各種工作負載的可擴充雲端資源。
高效能運算
強大的解決方案,可充分運用高效能運算。
虛擬化超級運算
為雄心勃勃的運算計畫提升效能。
尖端能力
美光 (Micron®) DDR5 伺服器 DRAM 提供全方位功能,與世界級效能相得益彰:
效能比 DDR4 增加高達 2 倍
已經過最佳化,適用於最新的 Intel® 以及 AMD® 伺服器和工作站平台
操作電壓從 DDR4 的 1.2V 減至 1.1V
提供的選項包含 RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM、ECC CUDIMM、ECC UDIMM、ECC CSODIMM 與 ECC SODIMM
高達 256GB MRDIMM,為記憶體密集型應用程式提供最高頻寬和最低延遲
三年有限保固
晶粒內建 ECC
速度高達 8800MT/s
100% 通過元件與模組測試
美光 (Micron) 製造
為何選擇 DDR5 DRAM?
更快效能
資源密集型應用程式的處理時間更快。
更高的可靠性
與 DDR4 相比,可靠性、可用性與擴充性更高。
更多洞察
加速流程,可從關鍵資料中獲得更多洞察。
規格
RDIMM | MRDIMM TFF MRDIMM |
ECC CUDIMM ECC UDIMM |
ECC CSODIMM ECC SODIMM |
|
---|---|---|---|---|
容量 | 16、24、32、48、64、96、128 | 32、64、96、128、256 | 16、32 | 16、32 |
速度 | 4800、5600、6400 | 8800 | 4800、5600、6400 | 4800、5600、6400 |
元件電壓 | 1.1 | 1.1 | 1.1 | 1.1 |
模組電壓 | 12.0 | 12.0 | 5.0 | 5.0 |
Rank | 1R、2R | 1R、2R、4R | 1R、2R | 1R、2R |
元件組態 | x4、x8 |
x4、x8 |
x8 |
x8 |
針腳數量 | 288-pin | 287-pin | 288-pin | 262-pin |
上市時間 | 現在 | 現在 | 現在 | 現在 |
保固 | 3 年有限保固 | |||
進階功能 | 兩個獨立的 40 位元通道、兩倍叢發長度、超越 DDR4 的記憶庫和記憶庫群組、相同記憶庫重新整理、晶粒內建 ECC 和封裝後修復功能強化。 |
尋找合適的記憶體和儲存裝置

注意:提供的所有數值僅供參考,並非保固值。如需了解保固資訊,請瀏覽 https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties,或聯絡您的美光業務代表。測量值展示了在給定傳輸大小和類型的情況下,理論上的最高耐用性。耐用性將依工作負載而異。效能值是以 25 瓦功耗為條件所測得。
- DDR5 推出時的資料傳輸速率 4800MT/s 是標準 DDR4 最高資料傳輸速率 3200MT/s 的 1.5 倍(多 50%)。JEDEC 預估的 8800MT/s 速度比 DDR4 3200MT/s 最高標準資料傳輸率快 2.75 倍。
- 在記憶體需求大的工作負載量中,相比 DDR4,DDR5 經過改良設計,兩倍的叢發長度提供了 2 倍的頻寬、兩倍的記憶庫和記憶庫群組,和明顯更高的速度,而此優勢獲 JEDEC 驗證;JEDEC 是一個獨立標準化組織,為微電子業開發公開標準。