搭載 NVMe™ 的 Micron^®7450 SSD

關鍵優勢

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業界最先進的 176 層 NAND¹ 搭配美光的 CMOS-under-array 技術，再加上達 1600GT/s 的最高資料傳輸率，產生 35%² 更快的讀寫速度，帶來更快的應用回應速度。

像是軟體定義儲存、資料庫和虛擬化等資料中心應用情境的要求很高，99.999% 的 QoS 延遲是一個關鍵的設計要求。使用 Micron 7450 SSD，延遲可達低於 2 毫秒³的要求，維持穩定的應用回應時間。與上一代⁴相比，延遲更減少了 43%。

美光提供業界最多元的規格尺寸⁵（包括多個 U.3、M.2 和 E1.S），容量範圍從 400GB 到 15.36TB3，包括一個 7.68TB E1.S 選項，以滿足不斷提高的功耗和散熱需求。美光的安全執行環境 (SEE)、SED 和非 SED 等安全功能選項，可針對部署需求量身打造安全性功能。

40 多年來，美光打造出部分世界上最先進的記憶體和儲存裝置技術。每一項美光品牌產品都由我們的工程團隊自行開發設計，以確保品質與可靠性為同級最佳

透過低 QoS 讀取延遲實現迅速、可靠並反應靈敏的儲存裝置基礎架構

查看實驗室測試中，Micron 7450 SSD 所展現的穩定低延遲

美光 SSD 安全功能和創新指南

保固有效期為自原始購買日期起 5 年內，或寫入數已達產品資料表中所公佈和產品 SMART 資料所測量的最高總位元組寫入數 (TBW)，以先到達者為準。
更多資訊請造訪：www.micron.com/176
效能是根據以下條件測量：穩定態由 SNIA Solid State Storage Performance Test Specification Enterprise v1.1 所定義；啟用驅動器寫入快取；NVMe 電源狀態 0；使用佇列深度為 32 的 FIO 測量的循序工作負載量；使用佇列深度為 256 的 FIO 測量的隨機讀取工作負載量（以 4K 扇區大小的 1,000,000 IOPS 狀態；使用佇列深度為 128 的 FIO 測量的隨機寫入工作負載量）
根據與 Micron 7400 SSD 的比較
根據與公開上市的主流 NVMe SSD 的比較