Skip to content

Micron® 7500 NVMe SSD

關鍵優勢

  • PCIe® 4.0 NVMe™ 技術,具備高達 7,000MB/s 的循序效能和高達 1.1M IOPS2 的隨機效能
  • 以世界最先進的 232 層 NAND 1打造  
  • 支援高密度應用程式,容量高達 15.36TB3
  • 低於 1 毫秒的絕佳延遲5,實現 99.9999% 的服務品質
  • 美光的安全加密環境支援專用硬體加密

適用於:

  • 儲存裝置和解決方案架構師
  • IT 經理
  • 商業通路合作夥伴

特色:

  • 斷電保護
  • 企業資料路徑保護
  • 韌體啟用無須重置
  • 安全抹除和安全啟動
  • 韌體啟用無須重置
  • 硬體信任根、安全簽章韌體
  • TRIM 支援附垃圾收集
  • 5 年有限保固4

規格:

  • 全球最先進的主流資料中心 SSD
  • 提升效能與能源效率,同時支援最新的安全性功能
  • 採用美光領先全球的 232 層 NAND 

產品總覽

Micron® 7500 NVMeTM SSD 是全球最先進的主流 PCIe Gen4 資料中心 SSD,也是首款採用 200 層以上 NAND 的 SSD。採用尖端技術打造而成,可為各式各樣的工作負載提供低且一致的 QoS 延遲、卓越的效能,並為標準韌體中的開放運算計畫(OCP) 功能提供廣泛支援。7500 SSD 是一款多用途的解決方案,能為複雜且關鍵的業務工作負載提供所需的效能。

Micron 9400 SSD 斜向
光點相疊的資料中心

全球最先進的主流資料中心 SSD

美光領先業界的 232 層 NAND11 可提高效能和功耗效率,同時支援最新的安全性標準 TCG-Opal 2.01 和產業標準:開放運算計畫 (OCP) 2.0 和 NVMe 2.0b。 

新類別

創建延遲低於 1 毫秒的全新 SSD 類別

低且一致的延遲特性為要求嚴苛的資料中心工作負載(例如:即時分析、內容傳遞、金融交易)提供快速又可靠的回應能力。Micron 7500 SSD 以低於 1 毫秒的延遲5,實現 99.9999% 服務品質 (QoS),比競爭對手降低達 83%6

加速工作負載

以同級領先的 Gen4 速度,加速您的工作負載處理

隨著 PCIe Gen4 在資料中心佔據主導地位,Micron 7500 SSD 的卓越效能將加快資料中心工作負載的速度,例如:AI、資料庫和雲端運算。與競爭對手相比,要求嚴格、以寫入為主的應用程式,其隨機寫入效能將可望提高多達 242%4

重要規格

Micron 9400 SSD 正面
 U.3/U.2 Micron 7500 PRO
讀取密集 (1 DWPD)
Micron 7500 MAX
混合使用 (3 DWPD)
 容量 960GB 1.92TB 3.84TB 7.68TB 15.36TB 800GB 1.6TB 3.2TB 6.4TB 12.8TB
效能7(4K 隨機 128K 循序)
循序讀取 (MB/s) 6,800 6,800
6,800
7,000 7,000 6,800
6,800
6,800
7,000 7,000
循序寫入 (MB/s) 1,400 2,700 5,300 5,900 5,900
1,400 2,700 5,300 5,900
5,900
隨機讀取 (KIOPS) 800 1,000 1,100 1,100
1,100
800 1,00
1,100
1,100
1,100
隨機寫入 (KIOPS) 85 145 180 215 250 145 270 390 400 410
70/30 隨機讀取/寫入 (IOPS) 130 260 350 450 530 200 370 510 650 700
延遲(一般,µs)8

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

70(讀取)

15(寫入)

耐用性(總寫入位元組數,TB) 4K 隨機 1,752 3,504 7,008 14,016 28,032 4,380 8,760 17,520 35,040 70,080
基本屬性
介面 PCIe Gen4 1x4、NVMe (v2.4b)
NAND Micron 200+ 層 3D TLC NAND
可靠性
MTTF MTTF:在 0-55°C 時為 200 萬小時,在 0-50°C 時為 250 萬小時
UBER 每讀取 1018 位元 <1 磁區
保固 5 年
環境特性
功耗 循序讀取(平均 RMS 值):15.5W(PRO 和 MAX)
循序寫入(平均 RMS 值):18.3W(PRO 和 MAX)
運作溫度 0-70°C(註腳:如果 SMART 溫度超過 77°C,效能則會受限)
注意:提供的所有數值僅供參考,並非保固值。如需了解保固資訊,請瀏覽 https://www.micron.com/support/sales-support/returns-and-warranties/enterprise-ssd-warranty,或聯絡您的美光業務代表。數值代表的是指定傳輸大小和類型在理論上的最高耐用性。耐用性將依工作負載而異。效能值是以 25 瓦功耗為條件所測得。
  1. Comparisons are made based on other leading PCIe Gen4 Data Center U.2/U.3 NVMe SSDs based on data center market share as noted in the http://forward-insights.com/reportslist.html and available on the open market at the time of this document’s initial publication. 1GB = 10 億位元組;已格式化的容量較小。
  2. Performance measured using 7.68TB SSDs at queue depth (QD) = 256 和 FIO(有關 FIO 的更多詳情,請參見此處:https://fio.readthedocs.io/en/latest/)。
  3. 30.72TB capacity is the largest option. User capacity: 1GB = 10 億位元組;已格式化的容量較小。
  4. 保固有效期為自原始購買日期起 5 年內,或寫入數已達產品資料表中所公佈和產品 SMART 資料所測量的最高總位元組寫入數 (TBW),以先到達者為準。
  5. 相較於 Micron 9300 SSD,效率提升了 77%。效率的定義為每瓦效能。
  6. 更多相關資訊可於此處取得:http://www.micron.com/176
  7. 效能是根據以下條件測量:穩定態由 SNIA Solid State Storage Performance Test Specification Enterprise v1.1 所定義;啟用磁碟寫入快取;NVMe 功耗狀態 0;使用 128K IO 大小且佇列深度為 32 的 FIO 測量的循序工作負載量;使用 4K IO 大小且佇列深度為 256 的 FIO 測量的隨機讀取工作負載量;使用 4K IO 大小且佇列深度為 128 的 FIO 測量的隨機寫入工作負載量。
  8. Latency values measured with random workloads using FIO, 4KB transfers, queue depth = 1; Typical latency = 中位數,第 50 個百分位

Action Required:

Please review and accept our non-disclosure agreement in order to enter our site.


CONTINUE