Micron® 7600 NVMe™ SSD Skip to content

Micron® 主流 7500 NVMe SSD

MICRON® 7600 NVME™ SSD

追求卓越的動力


主流工作負載量的高輸送量、低延遲和功耗效率

Micron® 7600 NVMeSSD

市場上最先進的、效能最高的主流 SSD 之一

12GB/s

MB/s

循序效能1

210 萬 IOPS

IOPS1

隨機效能1

15.36TB

服務品質 (QoS)

最大容量2

G9

層 NAND

NAND3

強化人工智慧、雲端和邊緣工作負載量

註冊以獲得獨家存取權

正在尋找能夠為重要需求提供更高效能的儲存裝置嗎? Micron 7600 NVMe SSD 可透過提供以下功能,在競爭激烈的 Gen5 主流 SSD 上進行彈性調整:

  • 效能提升 23%1
  • 延遲提升 76%1
  • 功耗效率提升 79%1

探索更多 7600 產品詳細資料

深入瞭解 Micron 7600 NVMe SSD 背後的創新技術

加速工作負載

建立高效率的生態系統,讓資料和洞察更流暢移動。 

產品
高容量 OLTP

以更快的速度大規模處理交易

產品
雲端儲存裝置

適用於各種工作負載量的可擴充解決方案

產品
大數據

適用於龐大資料集的快速儲存裝置
 

產品
物件型儲存

非結構化資料的高輸送量和回應性

尖端能力

體驗功能和技術的理想組合:

斷電保護
 

透過 SMBus 的 NVMe 管理介面 (NVMe-MI™)

安全韌體下載
 

Micron 的安全加密環境 (SEE)

企業資料路徑保護
 

NVMe® 電源狀態
 

硬體信任根、安全簽章韌體

自我監控分析與報告技術 (SMART)

NVMe® 2.0b, TCG Opal v2.02, OCP 2.6

韌體啟用無須重置

採用 AES-256 加密技術的自我加密硬碟 (SED)

5 年有限保固4

為何選擇 7600 NVMe SSD?

提高效能

在支援最新防護的同時,獲得更好的結果。

降低延遲

確保即時分析、AI 訓練和推論與 OLTP 的回應能力。

加速工作負載

推動人工智慧、資料庫和雲端運算背後的流程。

規格

橫跨各種工作負載的卓越效能,以及開放式運算專案 (OCP) 的廣泛支援。

容量 1.92TB 3.84TB 7.68TB 15.36TB
循序讀取 (MB/s) 12,000 12,000 12,000 12,000
循序寫入 (MB/s) 3,300 6,500 7,000 7,000
隨機讀取 (KIOPS) 1,800 2,100 2,100 2,100
隨機寫入 (KIOPS) 180 300 400 400
70/30 隨機讀取/寫入 (IOPS) 320 480 700 700
延遲(一般,µs)8

75(讀取),

15(寫入)

75(讀取),

15(寫入)

75(讀取),

15(寫入)

75(讀取),

15(寫入)

耐用性(4K 隨機) 3,500 7,000 14,000 28,000
介面 PCIe Gen5 1x4、NVMe v2.0b
NAND Micron G9 TLC NAND
MTTF MTTF:在 0-55°C 時為 200 萬小時,在 0-50°C 時為 250 萬小時
UBER 每讀取 1018 位元 <1 磁區
保固 5 年
功耗

循序讀取(平均 RMS 值):15.5W(PRO 和 MAX)

循序寫入(平均 RMS 值):18.3W(PRO 和 MAX)

運作溫度

0-70°C(註腳:如果 SMART 溫度超過 77°C,效能則會受限)

容量 1.6TB 3.2TB 6.4TB 12.8TB
循序讀取 (MB/s) 12,000 12,000 12,000 12,000
循序寫入 (MB/s) 3,300 6,500 7,000 7,000
隨機讀取 (KIOPS) 1,800 2,100 2,100 2,100
隨機寫入 (KIOPS) 260 560 675 675
70/30 隨機讀取/寫入 (IOPS) 450 700 1,000 1,100
延遲(一般,µs)8

75(讀取),

15(寫入)

75(讀取),

15(寫入)

75(讀取),

15(寫入)

75(讀取),

15(寫入)

耐用性(4K 隨機) 8,700 17,500 35,000 70,000
介面 PCIe Gen5 1x4、NVMe v2.0b
NAND Micron G9 TLC NAND
MTTF MTTF:在 0-55°C 時為 200 萬小時,在 0-50°C 時為 250 萬小時
UBER 每讀取 1018 位元 <1 磁區
保固 5 年
功耗

循序讀取(平均 RMS 值):15.5W(PRO 和 MAX)

循序寫入(平均 RMS 值):18.3W(PRO 和 MAX)

運作溫度

0-70°C(註腳:如果 SMART 溫度超過 77°C,效能則會受限)

讓我們一起打造
 

尋找合適的記憶體和儲存裝置

產業影響

AI
如何訓練 AI


企業們正在利用龐大的資料湖泊來發掘全新且強大的洞察。
 

Edge
邊緣資料


盡在最接近其來源的地方,獲得處理資料的優勢。
 

產品
尋找您的 (伺服器) 餘額


找出運算、記憶體和儲存裝置之間的平衡狀態,可讓您建立一加一大於二的強大伺服器。

支援

購買

伺服器解決方案

您可透過我們重要的合作夥伴之一購買美光 (Micron) 伺服器 DRAM 與 SSD。

業務

聯絡業務部門

瞭解美光如何協助您最佳化系統的記憶體和儲存裝置。

報價

要求報價

提出有關價格和供應情況的問題,並獲得解答。

聯絡人

顧客支援
 


有疑問嗎? 美光的專家團隊可以提供協助。

產品

7600 產品詳細資料
 


檢視容量選項、技術規格等。

下載

技術文件


探索產品功能並取得設計指南。

資源

宣傳文件

避免昂貴的 GPU 和 CPU 閒置

智慧儲存解決方案為 AI 提供更順暢的資訊

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美光 SSD 產品組合
 

將完美的 SSD 與您的獨特工作負載量配對
 

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選擇美光(Micron)伺服器解決方案的 5 大理由

將 CPU 和 GPU 維持在適合未來的最佳等級和規模

註:提供的所有數值僅供參考,並非保固值。如需了解保固資訊,請瀏覽https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties,或聯絡您的美光業務代表。

1. 效能是根據以下條件測量:穩定態由 SNIA Solid State Storage Performance Test Specification Enterprise v1.1 所定義;啟用 SSD 寫入快取;NVMe 電源狀態 0;使用佇列深度為 32 的 FIO 測量的循序工作負載;使用佇列深度為 512 的 FIO 測量的隨機讀取工作負載;使用佇列深度為 128 的 FIO 測量的隨機寫入工作負載)。

2. 使用者容量:1GB = 10 億位元組;已格式化的容量較小

3. 請參閱 https://www.micron.com/products/storage/nand-flash/g9-nand

4. 保固有效期為自原始購買日期起 5 年內,或寫入數已達產品資料表中所公佈和產品 SMART 資料所測量的最高總位元組寫入數 (TBW),以先到達者為準。

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