美光 9550 NVME SSD
為關鍵任務工作負載領導資料中心 PCIe Gen5 SSDs1 的封裝
精選解決方案
- 使用案例
- 特色
- 規格
加速工作負載
針對大容量和功耗效率為關鍵差異因子的 AI 和其他高效能應用程式，優化您的基礎設施
尖端能力
體驗功能和技術的理想組合：
斷電保護
OCP 2.0+ 和 NVMe 2.0
韌體啟用無須重置
128 個 NVMe 命名空間
企業資料路徑保護
NVMe 管理介面（MI）
安全清除和安全開機
自我監控分析與報告技術 (SMART)
TCG Opal 2.01
HNVMe 功耗狀態
安全簽署的韌體與下載
5 年有限保固5
為什麼選擇 9550 NVMe SSD？
提高效能
獲得更好的結果，同時支援最新的安全性
降低延遲
確保即時分析、AI 訓練和 OLTP 的回應能力
加速工作負載
推動 AI、資料庫和雲端背後的流程
規格
橫跨各種工作負載的卓越效能，以及開放式運算專案 (OCP) 的廣泛支援
美光 9550 NVMe PRO
| 容量 | 3.84TB | 7.68TB | 15.36TB | 30.72TB |
|---|---|---|---|---|
| 循序讀取 （MB/s）6 | 14，000 | 14，000 | 14，000 | 14，000 |
| 循序寫入 （MB/s）6 | 6，000 | 10，000 | 9，000 | 7，600 |
| 隨機讀取 （KIOPS）3 | 2，900 | 3，300 | 3，300 | 2，800 |
| 隨機寫入 （KIOPS）3 | 280 | 400 | 400 | 380 |
| 70/30 隨機讀取/寫入 （KIOPS） | 500 | 730 | 970 | 1，100 |
| 耐用性 （TBW）7 | 7，008（RND） 29，400 （SEQ） | 14，016（RND） 58，300（SEQ） | 28，032（RND） 104，500 （SEQ） | 56，064（RND） 201，200 （SEQ） |
| 延遲 (TYP)8 | 60（讀取） 15（寫入） | |||
| 介面 | PCIe Gen5 1x4、NVMe v2.0b | |||
| NAND | 美光 232 層 3D TLC NAND | |||
| MTTF9 | MTTF：0-55°C 時 200 萬小時，0-50°C 時 250 萬小時 | |||
美光 9550 NVMe MAX
| 容量 | 3.2TB | 6.4TB | 12.8TB | 25.6TB |
|---|---|---|---|---|
| 循序讀取 （MB/s）6 | 14，000 | 14，000 | 14，000 | 14，000 |
| 循序寫入 （MB/s）6 | 6，000 | 10，000 | 9，000 | 7，600 |
| 隨機讀取 （KIOPS）3 | 2，900 | 3，300 | 3，300 | 2，800 |
| 隨機寫入 （KIOPS）3 | 600 | 900 | 900 | 750 |
| 70/30 隨機讀取/寫入 （KIOPS） | 740 | 1，100 | 1，360 | 1，400 |
| 耐用性 （TBW）7 | 17，520（RND） 37，200 （SEQ） | 35，040（RND） 74，200 （SEQ） | 70，080（RND） 143，100 （SEQ） | 140，160（RND） 282，600 （SEQ） |
| 延遲 (TYP)8 | 60（讀取） 15（寫入） | |||
| 介面 | PCIe Gen5 1x4、NVMe v2.0b | |||
| NAND | 美光 232 層 3D TLC NAND | |||
| MTTF9 | MTTF：0-55°C 時 200 萬小時，0-50°C 時 250 萬小時 | |||
產業影響
支援
資源
註：提供的所有數值僅供參考，並非保固值。如需了解保固資訊，請瀏覽 https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties，或聯絡您的美光業務代表。
1. 在目前生產中的 Gen5 資料中心效能 SSD 中，來自頂尖競爭企業 SSD 供應商，截至 2024 年 2 月，按營收劃分，至少有 10% 市場佔率，如 Forward Insights 「SSD 供應商季度狀態Q4」中所指出
2. 30.72TB 容量是最大的選項。使用者容量：1GB = 10 億位元組；格式化後的容量較小。
3. 效能是根據以下條件測量：SNIA Solid State Storage Performance Test Specification Enterprise v1.1 所定義的穩定狀態；啟用硬碟寫入快取；NVMe 功耗狀態 0；使用佇列深度為 32 的 FIO 測量的循序工作負載；使用佇列深度為 512 的 FIO 測量的隨機讀取工作負載。
4. 請參閱 https://www.micron.com/products/storage/nand-flash/232-layer-nand
5. 保固有效期為自原始購買日期起 5 年內，或寫入數已達產品資料表中所公佈和產品 SMART 資料所測量的最高總位元組寫入數 (TBW)，以先到達者為準。
6. 未格式化。1GB = 10 億位元組。格式化後容量會減少。
7. 實際壽命會因工作負載量而異。假設硬碟 100% 已滿（使用者容量），且工作負載量為 100% 4KB 隨機 TB（第一個價值）或 100% 128KB 循序（第二個價值）TB，計算出的總位元組寫入量。請參閱 自我監控分析與報告技術/健康資訊中使用的百分比 資訊 （記錄識別碼 02h），以檢查使用的裝置壽命。
8. 使用 FIO、4KB 傳輸、佇列深度 = 1、典型延遲=中位數、第 50 個百分位數的隨機工作負載量測量延遲值。
9. 產品根據與個別單位無關的人口統計量達到 MTTF。