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資料中心解決方案

    • 以 QLC 價格享有 TLC 的效能

    我們如何比較 TLC SSD 與 QLC SSD？很簡單。美光的 NAND 技術進展（包含超過 200 層）可讓 Micron® 6500 ION NVMe™ SSD 以相當於 Solidigm D5-P5316 的價格上市。當成本相近時，功能和效能會是主要的選擇因素。

    下載資訊圖表
    Micron 6500 ION SSD 正面

    Micron® 6500 ION
    NVMe SSD

    關鍵優勢

    • 在現實世界的混合工作負載量應用程式中，相較同級競品其資料中心效能高達 2.3 倍1
    • 提供 99.9999% QoS 的讀取延遲穩定性，領先業界高達 3.2 倍2
    • 容量範圍從 6.4TB 起，最高達到領先同級的 30.72TB3
    產品簡介

    適用於

    • 專為持續需要更大、更快 SSD 的雲端儲存裝置和內容傳輸網路進行最佳化
    • 應用程式從檔案共用和合作到應用程式託管、資料封存或內容傳輸不等
    • Micron 6500 ION 在兼具價值、效能和容量的領域表現優異 

    特色

    • 斷電保護 
    • 企業資料路徑保護 
    • TCG Opal v2.01 
    • FIPS 140-3 L2 
    • 符合 TAA 
    • NVMe™ 2.0 
    • 透過 SMBus 的 NVMe 管理介面 (NVMe-MI™) 
    • NVMe™ 功耗狀態 
    • 韌體啟用無須重置 
    • 安全韌體下載 
    • 硬體信任根、安全簽章韌體 
    • 自我監控分析與報告技術 (SMART) 
    • 5 年有限保固4
    更多產品資訊

    規格

    • U.2/U.3 規格尺寸的 30TB 龐大容量1
    • 高達 6.8GB/s 和 100 萬 IOPS1
    • 4KB 隨機寫入 IOPS 提升 25 倍2
    • 4KB 隨機寫入耐用性提升 10 倍以上2 
    • 功耗效率提升 56%2
    • 廣泛的安全性功能，例如 FIPS 140-3、TCG-Opal 和 TAA 法規遵循
    • 採用美光領先全球的 232 層 NAND3

    產品總覽

    傳統上，打造完美的雲端架構或內容傳輸網路需要面面俱到，其中 IT 團隊被迫犧牲雲端儲存裝置效能以換取容量，或付費使用未來用不到的速度和耐用性。高容量 30.72TB1 Micron® 6500 ION NVMe SSD 克服了這些挑戰，以 QLC 價格點提供 TLC 效能，同時實現高達 25 倍的 4KB 隨機寫入 IOPS、讀取 QoS 速度提升 54%，以及功耗效率相較競爭者提升 56%2。Micron 6500 ION 的龐大容量和專用效能讓競爭者相形失色。  

    Micron 6500 ION SSD 斜向
    Micron 6500 ION Performance 伺服器

    大容量讓雲端儲存裝置
    挑戰變得不算什麼

    幾年前，數 TB SSD 和 PB 等級部署屬於例外情況，而非常態。現今除了顧客要求之外，應用程式也需要不斷增加的儲存容量，同時又不會犧牲效能。Micron 6500 ION 提供 30.72TB1 容量，在這方面取得很大的進展，將伺服器密度提升至最高，同時維持卓越的 PCIe® Gen4 效能。Micron 6500 ION 提供 6.8GB/s 循序讀取和 100 萬讀取 IOPS，提供比 QLC 競爭者2 高 53% 的讀取服務品質。Micron 6500 ION 也有優異的寫入效能，隨機寫入速度比 QLC 競爭者2 快 25 倍。

    資料中心

    資料中心的永續發展

    儲存裝置架構師必須在設計系統時兼顧多種因素，考量效能、電源或耐用性，因此這屬於困難的任務。有了美光 6500 ION，顧客現在擁有有效功率比 QLC 競爭者低 20%、功耗效率高 56% 和隨機寫入耐用性提升高達 10 倍的儲存解決方案2。結合 2.5 吋 U.2/U.3 規格尺寸、領先業界的 30.72TB1容量，您即擁有可以減少機架數量、大幅降低基礎設施成本的解決方案，而這正是長期永續發展的基石。

    專用產品組合

    IT 界到處都是「產業領導者」，但他們如何與美光競爭？我們率先將 232 層 NAND 3 導入旗下全面、專用的儲存解決方案產品組合，也就是大容量 Micron 6500 ION SSD NAND。雖然是很多層儲存，但對您的顧客有何好處？這意味著會以 QLC 價格點提供容量更大、功耗更有效率的 TLC 儲存裝置。合作夥伴與美光合作，率先為您的顧客提供大容量 NVMe® 儲存裝置，並與競爭者競爭的專用儲存產品組合。

    重要規格

    Micron 6500 ION SSD 正面

     U.3 Micron 6500 ION
    以容量為導向 (<1 DWPD)
     容量1 30,720GB
    序列5
    (128K 循序傳輸)
    讀取 (MB/s) 6,800
    寫入 (MB/s) 5,000
    隨機5
    (4K 傳輸)
    隨機讀取 (KIOPS) 1000
    隨機寫入 (KIOPS) 200
    70/30 隨機讀取／寫入 (KIOPS) 400
    延遲6
    讀取 (TYP, µs) - 70
    寫入 (TYP, µs) 15
    讀取 (99%, µs) 80
    寫入 (99%, µs) 65
    耐用性
    (總寫入位元組數 TB）
    4K 隨機 16,800
    128K 循序 56,000
    基本屬性
    介面 PCIe Gen4 1x4 NVMe (1.4)
    NAND 美光 232 層 3D TLC NAND
    MTTF 250 萬個裝置小時
    進階功能  TCG-Opal 2.01、OCP 2.0、TAA 法規遵循、FIPS 140-3、斷電保護（待用資料和傳遞中資料）、企業資料路徑保護（使用者與中繼資料）、Storage Executive、5 年保固

    資源

    1.  30.72TB capacity is the largest option. User capacity: 1GB = 10 億位元組；已格式化的容量較小
    2. 截至 2023 年 3 月止，所有都是與 30.72TB Solidigm® D5-P5316 QLC SSD 的公開資料表值進行比較
    3. 更多相關資訊可於此處取得：www.micron.com/232 
    4. 保固有效期為自原始購買日期起 5 年內，或寫入數已達產品資料表中所公佈和產品 SMART 資料所測量的最高總位元組寫入數 (TBW)，以先到達者為準。
    5. 效能是根據以下條件測量：穩定態由 SNIA Solid State Storage Performance Test Specification Enterprise v1.1 所定義；啟用磁碟寫入快取；NVMe 功耗狀態 0；使用 128K IO 大小且佇列深度為 32 的 FIO 測量的循序工作負載量；使用 4K IO 大小且佇列深度為 256 的 FIO 測量的隨機讀取工作負載量；使用 4K IO 大小且佇列深度為 128 的 FIO 測量的隨機寫入工作負載量。
    6. Latency values measured with random workloads using FIO, 4KB transfers, queue depth = 1; Typical latency = 中位數，第 50 個百分位

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